أفضل خدمة وأفضل شريحة
أكبر مشتريات شاملة للمكونات في الصين
| اسم العلامة التجارية: | Texas Instruments |
|---|---|
| رقم الموديل: | LM9061QDRQ1 |
| الحد الأدنى لكمية: | 1 قطعة |
| وقت التسليم: | 2 ~ 8 أيام عمل |
| شروط الدفع: | تي / ت |
| ماركة: | شركة Texas Instruments | شهادة: | / |
|---|---|---|---|
| نموذج: | LM9061QDRQ1 | موك: | حاسب شخصي 1 |
| الأسعار: | Negotiated | توصيل: | 2 ~ 8 أيام عمل |
| دفع: | تي / ت | ||
| تسليط الضوء: | SMD تصاعد EMI Filter IC,TI EMI Filter IC,LM9061QDRQ1 |
||
مرشح الضوضاء SMD المتصاعد EMI IC Texas Instruments / TI LM9061QDRQ1
| وحدة ECAD | رمز ثنائي الفينيل متعدد الكلور ، البصمة والنموذج ثلاثي الأبعاد |
| ECCN | EAR99 |
| بلد المنشأ | ماليزيا |
| خال من الهالوجين | متوافق |
| التاريخ المقدر لموسوعة الحياة | 2028 |
| حالة العرض والطلب | محدود |
| التهديد الوهمي في السوق المفتوحة | 53 نسبة مئويّة. |
| شعبية | متوسط |
| حزمة الشركة المصنعة | 8-SOIC |
| طَرد | 8-SOIC (0.154 بوصة ، عرض 3.90 ملم) |
| تصاعد | SMD |
| نطاق الحرارة الشغالة | -40 درجة مئوية ~ 125 درجة مئوية (TJ) |
| تاريخ التقديم | 24 نوفمبر 2014 |
| الجهد المنطقي - VIL ، VIH | 1.5 فولت ، 3.5 فولت |
| نوع البوابة | N- قناة MOSFET |
| عدد السائقين | 1 |
| نوع القناة | غير مرتبطة |
| فوز رقم الجزء المصدر | 1200910-LM9061QDRQ1 |
| التعبئة والتغليف | ريل - TR |
| اسم العائلة | إل إم 9061 |
| الصانع | شركة Texas Instruments |
| فئات | الدوائر المتكاملة (المرحلية) |
| جهد إمداد التشغيل | 7 فولت ~ 26 فولت |
| التكوين مدفوعة | عالية الجانب |
| سلسلة | السيارات ، AEC-Q100 |
تتكون عائلة LM9061 من أجهزة مضخة الشحن التي توفر محرك البوابة إلى MOSFET طاقة خارجية من أي حجم تم تكوينه كمحرك أو مفتاح عالي الجانب.يتضمن ذلك العديد من وحدات MOSFET المتصلة المتوازية لتطبيقات التيار العالي جدًا.يتحكم إدخال ON و OFF المتوافق مع منطق CMOS في جهد محرك بوابة الإخراج.في حالة التشغيل ، يتم تطبيق جهد مضخة الشحن ، والذي يكون أعلى بكثير من مصدر VCC المتاح ، مباشرة على بوابة MOSFET.يقوم Zener المدمج بجهد 15 فولت بتثبيت البوابة القصوى لجهد مصدر MOSFET.عند إيقاف تشغيل حوض تيار 110-µA ، يتم تفريغ سعات البوابة الخاصة بـ MOSFET للحصول على خاصية الانقطاع التدريجي لتقليل مدة الفولتية العابرة للحمل الاستقرائي وزيادة حماية الطاقة MOSFET.
تعد الحماية بدون فقدان للطاقة MOSFET ميزة رئيسية لـ LM9061.تتم مراقبة انخفاض الجهد (VDS) عبر جهاز الطاقة باستمرار ومقارنته بجهد حد خارجي قابل للبرمجة.المقاوم الصغير المستشعر للتيار المتسلسل مع الحمل ، والذي يتسبب في فقد الطاقة المتاحة ، غير مطلوب لدائرة الحماية.إذا تجاوز VDSvoltage ، بسبب تيار الحمل الزائد ، عتبة الجهد ، يتم إغلاق الإخراج بطريقة أكثر تدريجيًا (من خلال بالوعة تيار الإخراج 10-µA) بعد فاصل زمني تأخير قابل للبرمجة.
